NCEP85T11

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):145W

物料参数

安装类型:插件
品牌:NCE
功率耗散:145W
阈值电压:4.5V
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:110A
长x宽/尺寸:10.25 x 4.60mm
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-220-3
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
原产国家:China
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):85V
栅极电荷(Qg):54nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥5.5194
包装:1 库存:5