NCE1550

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:插件
品牌:NCE
击穿电压:150V
阈值电压:3.2V@250µA
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:50A
存储温度:-55℃~+175℃
封装/外壳:TO-220-3
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:151nC
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):23mΩ
漏源电压(Vdss):150V
栅极电荷(Qg):163nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥5.4978
包装:1 库存:1