NCE1550
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 击穿电压: | 150V |
| 阈值电压: | 3.2V@250µA |
| 包装: | Tube packing |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 50A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 23mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 150V |
| 栅极电荷(Qg): | 163nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.4978 |
| 包装：1 | 库存：1 |