NCE60P12K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
功率耗散:50W
阈值电压:2.2V
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:12A
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:37.6nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):100mΩ
原产国家:China
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):37.6nC
高度:2.40mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.9686
20+¥0.8816
100+¥0.7946
500+¥0.7076
1000+¥0.6670
2000+¥0.6380
包装:5 库存:1218
价格梯度 价格
1+¥0.7742
包装:1 库存:80