NCE60P12K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:60V
功率耗散:50W
阈值电压:2.2V
额定功率:60W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:12A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:77.3pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
输入电容:1.6307nF
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):37.6nC
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥1.3511
50+¥1.0576
150+¥0.9318
500+¥0.7749
2500+¥0.7050
包装:5 库存:4975
价格梯度 价格
1+¥0.7742
包装:1 库存:80