ZVN4106FTA
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 60V |
| 功率耗散: | 300mW |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 250mA |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 2pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 3.1Ω |
| 输入电容: | 25pF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 0.6nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.2720 |
| 10+ | ¥0.2550 |
| 50+ | ¥0.2295 |
| 150+ | ¥0.2125 |
| 300+ | ¥0.2006 |
| 500+ | ¥0.1955 |
| 包装：1 | 库存：0 |