AO4606
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | - |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 6.8A,6.6A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 33pF,57pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | - |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 24mΩ,50mΩ |
| 输入电容: | 510pF,620pF |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 63nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.1856 |
| 包装：1 | 库存：80 |