MT4435ACTR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:7A
封装/外壳:SOIC8_150MIL
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):24mΩ
原产国家:China Taiwan
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.7632
10+¥1.6530
50+¥1.4877
150+¥1.3775
300+¥1.3004
500+¥1.2673
包装:1 库存:0