MT4435ACTR

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:7A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
反向传输电容Crss:145pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:13nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):24mΩ
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
高度:1.75mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.7632
10+¥1.6530
50+¥1.4877
150+¥1.3775
300+¥1.3004
500+¥1.2673
包装:1 库存:0