2SJ562

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT89-3
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:145pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:13nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):56mΩ
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET