VBSEMI
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AP2306GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 输入电容: 865pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 1V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 8.8nC 配置: 单路 输入电容: 865pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 3Pin
NTR4503NT1G
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 输入电容: 335pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 击穿电压: 30V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 2.1nC 配置: 单路 输入电容: 335pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.7nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
VBZA9410
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±16V ID=10A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2.2W 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±16V 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 800pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±16V ID=10A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 功率耗散: 2.2W 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±16V 反向传输电容Crss: 73pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 800pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 晶体管类型: N沟道
VB1101M
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.6A RDS(ON)=141mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 134mΩ 输入电容: 190pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 10.4nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.6A RDS(ON)=141mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.6A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 134mΩ 输入电容: 190pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 10.4nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
VBK2298
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 功率耗散: 400mW 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@1.8V,300mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1.4A 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 272pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6.5nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.4A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT323
安装类型: SMT 功率耗散: 400mW 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@1.8V,300mA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 1.4A 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-323 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.3nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 272pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6.5nC 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AO6800
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.14W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.5A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.14W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.5A 封装/外壳: TSOP6 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 26pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
AP9435GG
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOT89-3 反向传输电容Crss: 145pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 2.5V@250µA 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOT89-3 反向传输电容Crss: 145pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 1000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 38nC 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET
SI2305ADS-T1-GE3
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 原始制造商: VBsemi Electronics Co. Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道
AO4816
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 7.1nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: VBsemi 功率耗散: 2W 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 7.1nC 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22nC 高度: 1.75mm 零件状态: Active 晶体管类型: MOSFET 引脚数: 8Pin
SSF2341E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6.4nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 品牌: VBsemi 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 10nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 43mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 835pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 6.4nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin