AO6800

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
阈值电压:1.5V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:3.5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP6
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):22mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):6nC
高度:1.10mm
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:6Pin