

AO6800
品牌
VBSEMI
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.5A RDS(ON)=22mΩ@4.5V TSOP6
物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
品牌: | VBsemi |
阈值电压: | 1.5V@250µA |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 3.5A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.05 x 1.65mm |
封装/外壳: | TSOP6 |
栅极源极击穿电压: | ±12V |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 22mΩ |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 20V |
栅极电荷(Qg): | 6nC |
高度: | 1.10mm |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | MOSFET |
引脚数: | 6Pin |