AP2306GN

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:20V
阈值电压:1V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:8.8nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):28mΩ
原产国家:China Taiwan
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):18nC
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET