VB1101M
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.6A RDS(ON)=141mΩ@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 1.25W |
| 击穿电压: | 100V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3.6A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 134mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 10.4nC |
| 高度: | 1.12mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |