VBK2298
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench工艺制造，适合于空间有限的应用场合。SC70-3；P—Channel沟道,-20V；-3.1A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~-1.5V；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 400mW |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 1.4A |
| 存储温度: | -50℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 4.3nC |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 272pF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 6.5nC |
| 高度: | 1.10mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.6574 |
| 50+ | ¥0.5374 |
| 150+ | ¥0.4774 |
| 500+ | ¥0.4324 |
| 3000+ | ¥0.3432 |
| 6000+ | ¥0.3252 |
| 包装：5 | 库存：10 |