VBZA9410

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±16V ID=10A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
击穿电压:20V
阈值电压:3V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:10A
封装/外壳:SOIC8_150MIL
栅极源极击穿电压:±16V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):15mΩ
原产国家:China Taiwan
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):15nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin