AP4435C
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | -30V |
| 阈值电压: | -2.5V |
| 额定功率: | 3.7W |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 10A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 封装/外壳: | SO8 |
| 反向传输电容Crss: | 278pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 1.55nF |
| 最小包装: | 4000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 30nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 类型: | 1个P沟道 |