AP60P20Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):80W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:80W
阈值电压:0.6V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:60A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_3.3X3.3MM
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:440pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:+150℃
配置:单路
原产国家:China
输入电容:3.6nF
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):55nC
零件状态:Active
价格梯度 价格
1+¥0.7022
10+¥0.6762
100+¥0.6138
500+¥0.5826
包装:1 库存:4008