ALLPOWER
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AP30H100KA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 功率耗散: 90W 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.2mΩ@10V,40A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 84nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 功率耗散: 90W 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.2mΩ@10V,40A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 84nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
AP2312
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT-23 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 350mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 额定功率: 350mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 865pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT-23 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 350mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 额定功率: 350mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 865pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
AP2080KA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.9V 额定功率: 3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.8mΩ@4.5V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 312pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 31nC 高度: 2.40mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 Single N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.9V 额定功率: 3.13W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.8mΩ@4.5V,20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252(DPAK) 反向传输电容Crss: 312pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 31nC 高度: 2.40mm 引脚数: 3Pin
AP90N03Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 额定功率: 46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.6mΩ@10V,30A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.6mΩ 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 42nC 高度: 0.75mm 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：46W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V 额定功率: 46W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.6mΩ@10V,30A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 90A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: PDFN8L_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.6mΩ 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 42nC 高度: 0.75mm 类型: 1个N沟道
AP2718AB
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,2.75x1.85mm 1.6~3.6V 2.75x1.85mm 63dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 工作电压: 1.6V~3.6V 包装: Tape/Reel 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.85mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: MIC_2.75X1.85MM 方向: 全指向 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 高度: 0.90mm 信噪比: 63dBA 零件状态: Active 灵敏度: -38dB
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,2.75x1.85mm 1.6~3.6V 2.75x1.85mm 63dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 工作电压: 1.6V~3.6V 包装: Tape/Reel 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.85mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: MIC_2.75X1.85MM 方向: 全指向 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 高度: 0.90mm 信噪比: 63dBA 零件状态: Active 灵敏度: -38dB
AP4008QD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
安装类型: SMT 功率耗散: 21W 阈值电压: 1.6V@250µA 额定功率: 21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 反向传输电容Crss: 72pF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W
安装类型: SMT 功率耗散: 21W 阈值电压: 1.6V@250µA 额定功率: 21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.15 x 3.05mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 反向传输电容Crss: 72pF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道
AP30H80K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 功率耗散: 75W 阈值电压: 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 75A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.30 x 6.80mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 反向传输电容Crss: 180pF@25V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9mΩ 输入电容: 1.16nF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11.1nC 高度: 6.30mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single
安装类型: SMT 功率耗散: 75W 阈值电压: 1.6V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 75A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.30 x 6.80mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 反向传输电容Crss: 180pF@25V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9mΩ 输入电容: 1.16nF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11.1nC 高度: 6.30mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP2045K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=80A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 900mV@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 80A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7mΩ 原产国家: China 输入电容: 4.4nF 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO-252 N-Channel Single VDS=20V VGS=±12V ID=80A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 20V 阈值电压: 900mV@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 80A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7mΩ 原产国家: China 输入电容: 4.4nF 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 99.2nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AP2302
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 350mW
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 350mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.2V 额定功率: 350mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 36mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.00mm 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 350mW
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 350mW 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.2V 额定功率: 350mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 36mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.00mm 类型: 1个N沟道
AP15P03Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A DFN3X3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 900mW 击穿电压: -30V 阈值电压: -2.5V 额定功率: 900mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: DFN3X3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 220pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 30V 12A DFN3X3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 900mW 击穿电压: -30V 阈值电压: -2.5V 额定功率: 900mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 封装/外壳: DFN3X3 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 220pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 5000pcs 通道数: 1 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道