AP3010

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:2.5W
阈值电压:1.6V@250µA
额定功率:2.5W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:10A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
封装/外壳:SO8
漏极电流:10A
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
输入电容:1.55nF
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):13nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥0.4060
100+¥0.3780
300+¥0.3500
500+¥0.3220
2000+¥0.3080
5000+¥0.2996
包装:1 库存:3111