

AP3010
品牌
ALLPOWER
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W
物料参数
安装类型: | SMT |
功率耗散: | 2.5W |
阈值电压: | 1.6V@250µA |
额定功率: | 2.5W |
包装: | Tape/reel |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 10A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
封装/外壳: | SO8 |
漏极电流: | 10A |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
输入电容: | 1.55nF |
漏源电压(Vdss): | 30V |
认证信息: | RoHS |
栅极电荷(Qg): | 13nC |
晶体管类型: | N沟道 |
类型: | 1个N沟道 |
引脚数: | 8Pin |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.4060 |
100+ | ¥0.3780 |
300+ | ¥0.3500 |
500+ | ¥0.3220 |
2000+ | ¥0.3080 |
5000+ | ¥0.2996 |
包装:1 | 库存:3111 |