AP30H150K

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):62.5W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:108W
阈值电压:1.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@20V,120A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:120A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:330pF
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):3mΩ
输入电容:2.68nF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):30nC
零件状态:Active
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.7044
10+¥0.6775
100+¥0.6130
500+¥0.5807
包装:1 库存:2489