AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AON6484
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 3.3A（Ta），12A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOS 功率耗散: 2W,25W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.3A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 24nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 3.3A（Ta），12A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOS 功率耗散: 2W,25W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.7V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.3A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 24nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 晶体管类型: N沟道
AOD4184A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 40V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 50A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 50W 阈值电压: 2.1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 50A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 33nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 33nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 40V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 50A
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 50W 阈值电压: 2.1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 50A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 33nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 33nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
AO4606
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V互补MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: ±20V 阈值电压: 1.8V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A,6.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: 42mΩ 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 输入电容: 310pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6nC 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个N沟道+1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V互补MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: ±20V 阈值电压: 1.8V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A,6.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: 42mΩ 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 输入电容: 310pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6nC 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 类型: 1个N沟道+1个P沟道
AO4443
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.6V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 42毫欧@6A，10V 输入电容: 1.175nF FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 6A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 2.6V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 42毫欧@6A，10V 输入电容: 1.175nF FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@10V 晶体管类型: P沟道
AO3403
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 2.6A
安装类型: SMT 击穿电压: ±20V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1.4V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 315pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 7.2nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 2.6A
安装类型: SMT 击穿电压: ±20V 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1.4V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.6A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 315pF@15V FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 7.2nC 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
AO4614BL
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：8-SOIC FET类型：N+P-Channel 工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：6A (Ta),5A (Ta)
安装类型: SMT 是否无铅: No 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 3V 连续漏极电流Id@25℃: 6,5A 包装: Tape/reel FET类型: N + P Channel 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流Idss: 6A 充电电量: 10.8nC 配置: Dual 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30毫欧@6A，10V 供应商器件封装: 8-SO FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 10.8nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 功率(Max): 2W 导通电阻Rds On(Max): 30mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：8-SOIC FET类型：N+P-Channel 工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds：40V 连续漏极电流Id：6A (Ta),5A (Ta)
安装类型: SMT 是否无铅: No 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 3V 连续漏极电流Id@25℃: 6,5A 包装: Tape/reel FET类型: N + P Channel 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流Idss: 6A 充电电量: 10.8nC 配置: Dual 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30毫欧@6A，10V 供应商器件封装: 8-SO FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 10.8nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 功率(Max): 2W 导通电阻Rds On(Max): 30mΩ 工作温度(Tj): -55~+150℃
AONR21321
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 4.1W（Ta），24W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 功率耗散: 24W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 24A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5mΩ 额定电压: 30 V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 4.1W（Ta），24W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 功率耗散: 24W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 24A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 155pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13.5mΩ 额定电压: 30 V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 34nC 晶体管类型: P沟道
AOD4189
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道,-40V,-40A,22mΩ@-10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 62.5W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 漏极电流: 40A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 41nC 配置: 单路 输入电容: 1.87nF@20V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 41nC@10V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道,-40V,-40A,22mΩ@-10V
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 功率耗散: 62.5W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 40A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 漏极电流: 40A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 41nC 配置: 单路 输入电容: 1.87nF@20V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 41nC@10V 晶体管类型: P沟道
AOT2502L
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 150V 10.03 x 4.45mm DIP TO220 106A N-Channel
安装类型: 插件 品牌: AOS 阈值电压: 4.3V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 106A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 长x宽/尺寸: 10.03 x 4.45mm 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 3.01nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 60nC@10V 零件状态: Active 高度: 15.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 150V 10.03 x 4.45mm DIP TO220 106A N-Channel
安装类型: 插件 品牌: AOS 阈值电压: 4.3V 包装: Tube packing 连续漏极电流: 106A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 长x宽/尺寸: 10.03 x 4.45mm 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 3.01nF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 150V 栅极电荷(Qg): 60nC@10V 零件状态: Active 高度: 15.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO4406AL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,13A,11.5mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.9V 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12.5mΩ 输入电容: 910pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道,30V,13A,11.5mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.9V 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12.5mΩ 输入电容: 910pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 17nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道