AONR21321
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 4.1W（Ta），24W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | AOS |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 24W |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 24A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 3.00mm |
| 封装/外壳: | DFN8_3X3MM |
| 栅极源极击穿电压: | ±25V |
| 反向传输电容Crss: | 155pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 13.5mΩ |
| 额定电压: | 30 V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 34nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.7919 |
| 10+ | ¥0.7309 |
| 30+ | ¥0.7188 |
| 100+ | ¥0.6822 |
| 包装：1 | 库存：4 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.0760 |
| 50+ | ¥0.8660 |
| 150+ | ¥0.7760 |
| 500+ | ¥0.6637 |
| 包装：5 | 库存：1145 |