AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AOD4130
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 34nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 1.9nF FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 34nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 充电电量: 34nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 1.9nF FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 34nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO4449
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.50mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 高度: 1.50mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
AOD468
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: VDS=300V,ID=11.5A N-Channel MOSFET DPAK
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 150W 阈值电压: 4.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: D-PAK 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 790pF@25V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 300V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: VDS=300V,ID=11.5A N-Channel MOSFET DPAK
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 150W 阈值电压: 4.5V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 11.5A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: D-PAK 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±30V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 输入电容: 790pF@25V FET功能: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 300V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AO3422
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=55V ID=2.1A P=1.25W SOT23
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，4.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 2.1A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 300pF@25V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 3.3nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=55V ID=2.1A P=1.25W SOT23
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 是否无铅: Yes 阈值电压: 2V@250µA 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，4.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 2.1A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 300pF@25V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 55V 栅极电荷(Qg): 3.3nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO4453
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: No 功率耗散: 2.5W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 18nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.50mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 是否无铅: No 功率耗散: 2.5W 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 900mV 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 9A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 18nC 配置: 单路 FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 栅极电荷(Qg): 18nC 高度: 1.50mm 晶体管类型: P沟道
AO4459
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=6.5A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 65pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 4.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 830pF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=6.5A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 阈值电压: 2.5V@250µA 额定功率: 3.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 制造商标准提前期: 16 周 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 65pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 4.6nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 输入电容: 830pF FET功能: - 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 16nC@10V 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AOD5B65M1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK
正向电流: 10A 安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 输入类型: 标准 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 69W 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 650V 导通损耗: 0.08mJ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: D-PAK 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 开关能量: 80µJ（开），70µJ（关） 最小包装: 2500pcs 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 2.29mm 晶体管类型: - 栅极-射极电压VGE: 1.98V@15V,5A 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK
正向电流: 10A 安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 输入类型: 标准 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 额定功率: 69W 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 650V 导通损耗: 0.08mJ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: D-PAK 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 开关能量: 80µJ（开），70µJ（关） 最小包装: 2500pcs 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 2.29mm 晶体管类型: - 栅极-射极电压VGE: 1.98V@15V,5A 引脚数: 3Pin
AOZ1036PI
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 功能类型：降压型 输出类型：可调 输入电压：4.5V~18V 输出电压：800mV~18V 输出电流(最大值)：5A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 输出电压（最大值）: 18V 输入电压: 4.5V~18V 输出端数: 1 输入电压（最小值）: 4.5V 长x宽/尺寸: 4.96 x 3.90mm 封装/外壳: SO8_150MIL_EP 输出类型: Adjustable 功能: Buck 原产国家: America 输出电流: 5A 同步整流器: 是 开关频率: 500KHz 输出电压（最小值/固定）: 800mV 输入电压（最大值）: 18V 高度: 1.70mm 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 功能类型：降压型 输出类型：可调 输入电压：4.5V~18V 输出电压：800mV~18V 输出电流(最大值)：5A
安装类型: SMT 输出配置: Positive 拓扑结构: 降压 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 输出电压（最大值）: 18V 输入电压: 4.5V~18V 输出端数: 1 输入电压（最小值）: 4.5V 长x宽/尺寸: 4.96 x 3.90mm 封装/外壳: SO8_150MIL_EP 输出类型: Adjustable 功能: Buck 原产国家: America 输出电流: 5A 同步整流器: 是 开关频率: 500KHz 输出电压（最小值/固定）: 800mV 输入电压（最大值）: 18V 高度: 1.70mm 引脚数: 8Pin
AON7544
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 23W 击穿电压: 30V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 反向传输电容Crss: 62pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15.7nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.7mΩ 原产国家: America 输入电容: 951pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22.5nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 23W 击穿电压: 30V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 30A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 反向传输电容Crss: 62pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 15.7nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.7mΩ 原产国家: America 输入电容: 951pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 22.5nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AOD2610E
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60V 46A 59.5W TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.4V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 漏极电流: 46A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 60V 46A 59.5W TO-252（DPAK）
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.4V@250µA 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 46A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 漏极电流: 46A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道