AO4406AL

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道,30V,13A,11.5mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
阈值电压:1.9V
额定功率:3.1W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:13A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):12.5mΩ
输入电容:910pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):17nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道