AOTS21115C
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6TSOP
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | AOS |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
功率耗散: | 2.5W |
击穿电压: | 20V |
阈值电压: | 950mV |
包装: | Tape/reel |
极性: | P-沟道 |
连续漏极电流: | 6.6A |
长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.60mm |
封装/外壳: | TSOP6 |
栅极源极击穿电压: | ±8V |
反向传输电容Crss: | 90pF |
工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 54mΩ |
输入电容: | 930pF |
漏源电压(Vdss): | 20V |
栅极电荷(Qg): | 17nC |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | P沟道 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥1.4884 |
10+ | ¥1.0149 |
30+ | ¥0.7380 |
100+ | ¥0.6355 |
500+ | ¥0.5945 |
1000+ | ¥0.5658 |
包装:1 | 库存:89 |