AOTS21115C

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6TSOP

物料参数

安装类型:SMT
品牌:AOS
技术:MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散:2.5W
击穿电压:20V
阈值电压:950mV
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:6.6A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:TSOP6
栅极源极击穿电压:±8V
反向传输电容Crss:90pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):54mΩ
输入电容:930pF
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):17nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥1.4884
10+¥1.0149
30+¥0.7380
100+¥0.6355
500+¥0.5945
1000+¥0.5658
包装:1 库存:89