AO3480C

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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.2A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:AOS
功率耗散:1.3W
阈值电压:1.8V@250μA
原始制造商:Alpha and Omega Semiconductor
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,6.2A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6.2A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.10 x 1.80mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:60pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:America
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):16mΩ
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):6nC@10V
高度:1.25mm
价格梯度 价格
1+¥0.3823
100+¥0.3552
300+¥0.3281
500+¥0.3010
2000+¥0.2874
5000+¥0.2793
包装:1 库存:4299
价格梯度 价格
10+¥0.4318
100+¥0.3523
300+¥0.3126
包装:10 库存:2380