AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>120V</SPAN> 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,20A 通用料（ 低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=120V Id=100A Rds=5.5mΩ(7.0mΩ最大)DFN5x6封装；