AGM40P55D
品牌
AGMSEMI
供应商
描述
场效应管(MOSFET) 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.9mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：28nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.05nF@20V ,Vds=40V Id=50A Rds=8.9mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)