AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：223A 功率(Pd)：178W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.25mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.471nF@30V ,Vds=60V Id=223A Rds=1.25mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)