AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,5.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.63nF@15V ,Vds=30V Id=5.6A Rds=20mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；