AGMSEMI

场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：316A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：142nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.01nF@15V ,Vds=30V Id=316A Rds=0.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6;