AGMSEMI

场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：115A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：100nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.85nF@15V ,Vds=30V Id=115A Rds=2.2mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；