AGMSEMI
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AGM420MA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=18A,-20A RDS(ON)=25mΩ，34mΩ@4.5V DFN5X6-8
安装类型: SMT 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 25W,31W 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.7V 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 18A,20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 90pF,95pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 零件状态: Active 高度: 1.00mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=18A,-20A RDS(ON)=25mΩ，34mΩ@4.5V DFN5X6-8
安装类型: SMT 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 25W,31W 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.7V 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 18A,20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 90pF,95pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 40V 零件状态: Active 高度: 1.00mm
AGM420MBA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel,P-Channel VDS=40V,-40V VGS=±20V ID=7.6A,-6.8A RDS(ON)=16mΩ,42mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 2.6W 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.6V,-1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7.6A,-6.8A 极性: N-Channel, P-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 16mΩ,42mΩ 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 43pF,64pF 输入电容(Ciss)(Max): 516pF,750pF 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V,-40V 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel,P-Channel VDS=40V,-40V VGS=±20V ID=7.6A,-6.8A RDS(ON)=16mΩ,42mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 2.6W 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.6V,-1.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 7.6A,-6.8A 极性: N-Channel, P-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 16mΩ,42mΩ 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 43pF,64pF 输入电容(Ciss)(Max): 516pF,750pF 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V,-40V 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active
AGM30P10AP
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 37W 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: -23A 极性: P-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 11mΩ 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: DFN3.3X3.3-8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 237pF 输入电容(Ciss)(Max): 1380pF 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): -30V 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AGMSEMI 功率耗散: 37W 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: -23A 极性: P-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 11mΩ 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: DFN3.3X3.3-8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 237pF 输入电容(Ciss)(Max): 1380pF 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): -30V 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active
AGP2401
供应商: Anychip Mall
分类: 温度传感器
描述: 温湿度传感器 TO46 0.1mA 0.06%
电压-电源: - 安装类型: 插件 是否无铅: Yes 精度: 0.06% 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 包装: Bulk packing 检测温度-本地: - 存储温度: -40℃~+125℃ 长x宽/尺寸: Φ5.70 x 2.80mm 封装/外壳: TO46-4 等级: Consumer 工作温度: -30℃~+100℃ 系列: - 原产国家: China 最小包装: 100PCS 认证信息: RoHS 高度: 2.80mm 电流-电源: 100µA 检测温度-远程: - 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 温度传感器
描述: 温湿度传感器 TO46 0.1mA 0.06%
电压-电源: - 安装类型: 插件 是否无铅: Yes 精度: 0.06% 原始制造商: AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. 包装: Bulk packing 检测温度-本地: - 存储温度: -40℃~+125℃ 长x宽/尺寸: Φ5.70 x 2.80mm 封装/外壳: TO46-4 等级: Consumer 工作温度: -30℃~+100℃ 系列: - 原产国家: China 最小包装: 100PCS 认证信息: RoHS 高度: 2.80mm 电流-电源: 100µA 检测温度-远程: - 引脚数: 4Pin
AGM401C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：134.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.755nF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：134.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.755nF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM15T06T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,20A
SL34BF
供应商: Maritex
供应商: Maritex
AGM30P12M
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.65nF@15V ,Vds=30V Id=14A Rds=10mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ;
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 场效应管(MOSFET) 类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.65nF@15V ,Vds=30V Id=14A Rds=10mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ;
AGM60P20AP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.525nF@30V ,Vds=60V Id=10A Rds=57mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.525nF@30V ,Vds=60V Id=10A Rds=57mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；
AGM4025Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：110A功率(Pd）：73.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：22.7nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.90nF@20V ,Vds=40v Id=110A Rds=2.2mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：110A功率(Pd）：73.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：22.7nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.90nF@20V ,Vds=40v Id=110A Rds=2.2mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)