AGMSEMI

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.525nF@30V ,Vds=60V Id=10A Rds=57mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；