AGM30P10AP
品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | AGMSEMI |
| 功率耗散: | 37W |
| 原始制造商: | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. |
| 阈值电压Vgs(th): | 1.3V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | -23A |
| 极性: | P-Channel |
| 漏源导通电阻 RDS(on): | 11mΩ |
| 存储温度: | -55~+150℃ |
| 封装/外壳: | DFN3.3X3.3-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 237pF |
| 输入电容(Ciss)(Max): | 1380pF |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | -30V |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃(TJ) |
| 零件状态: | Active |