AGMSEMI

场效应管(MOSFET) 类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.65nF@15V ,Vds=30V Id=14A Rds=10mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ;