AGM420MA

品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=18A,-20A RDS(ON)=25mΩ,34mΩ@4.5V DFN5X6-8

物料参数

安装类型:SMT
品牌:AGMSEMI
功率耗散:25W,31W
击穿电压:40V
阈值电压:1.7V
原始制造商:AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:18A,20A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.75 x 4.90mm
封装/外壳:DFN8_5X6MM
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:90pF,95pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
原产国家:China
漏源电压(Vdss):40V
零件状态:Active
高度:1.00mm