东芝
None
商品列表
TPN8R903NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 37 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 37 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 12.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 22 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 9.8 nC @ 10 V 系列: U-MOSVIII-H 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 长度: 3.1mm 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 37 A, 8引脚 TSON封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 37 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSON 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 12.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 22 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 9.8 nC @ 10 V 系列: U-MOSVIII-H 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si 长度: 3.1mm 宽度: 3.1mm 高度: 0.85mm 最高工作温度: +150 °C
TK40E06N1,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 60 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 60 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 10.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 67 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4.45mm 系列: U-MOSVIII-H 长度: 10.16mm 高度: 15.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 60 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 60 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 10.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 67 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4.45mm 系列: U-MOSVIII-H 长度: 10.16mm 高度: 15.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si
TK14G65W,RQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 13.7 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 13.7 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 250 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 130 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 35 nC @ 10 V 系列: DTMOSIV 宽度: 8.8mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 高度: 4.46mm 长度: 10.35mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 13.7 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 13.7 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 250 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 130 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 35 nC @ 10 V 系列: DTMOSIV 宽度: 8.8mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 高度: 4.46mm 长度: 10.35mm
TC74HC4050AF(F)
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: 东芝 HC 系列 6位 非反相 缓冲器，转换器, 16引脚 SOP封装
逻辑系列: HC 逻辑功能: 缓冲器，转换器 每片芯片通道数目: 6 输入类型: 单端 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOP 引脚数目: 16 最大高电平输出电流: -7.8mA 最大低电平输出电流: 7.8mA 最长传播延迟时间@最长CL: 100 ns @ 2 V 尺寸: 10.3 x 5.3 x 1.5mm 高度: 1.5mm 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 5.3mm 传输延迟测试条件: 150pF 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +85 °C 最大工作电源电压: 6 V 长度: 10.3mm
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: 东芝 HC 系列 6位 非反相 缓冲器，转换器, 16引脚 SOP封装
逻辑系列: HC 逻辑功能: 缓冲器，转换器 每片芯片通道数目: 6 输入类型: 单端 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOP 引脚数目: 16 最大高电平输出电流: -7.8mA 最大低电平输出电流: 7.8mA 最长传播延迟时间@最长CL: 100 ns @ 2 V 尺寸: 10.3 x 5.3 x 1.5mm 高度: 1.5mm 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 5.3mm 传输延迟测试条件: 150pF 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +85 °C 最大工作电源电压: 6 V 长度: 10.3mm
TK5Q65W,S1Q(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.2 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.2 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.22 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.65mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 高度: 7.12mm 宽度: 2.3mm 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 10.5 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.2 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.2 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.22 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 60 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.65mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 高度: 7.12mm 宽度: 2.3mm 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 10.5 nC @ 10 V
TC7SZ05F
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 东芝 反相器, 5引脚, CMOS输入, SOT-25封装, 最高工作温度 +125 °C, 5.5 V电源, 漏极开路输出
逻辑功能: 逆变器 输入类型: CMOS 输出类型: 漏极开路 每片芯片元件数目: 1 最长传播延迟时间@最长CL: 12.5 ns @ 50 pF 最大高电平输出电流: -32mA 最大低电平输出电流: 32mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-25 引脚数目: 5 逻辑系列: LMOS 尺寸: 2.9 x 1.6 x 1.1mm 高度: 1.1mm 最大工作电源电压: 5.5 V
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 东芝 反相器, 5引脚, CMOS输入, SOT-25封装, 最高工作温度 +125 °C, 5.5 V电源, 漏极开路输出
逻辑功能: 逆变器 输入类型: CMOS 输出类型: 漏极开路 每片芯片元件数目: 1 最长传播延迟时间@最长CL: 12.5 ns @ 50 pF 最大高电平输出电流: -32mA 最大低电平输出电流: 32mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-25 引脚数目: 5 逻辑系列: LMOS 尺寸: 2.9 x 1.6 x 1.1mm 高度: 1.1mm 最大工作电源电压: 5.5 V
SSM3K329R
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 东芝 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 3.5 A, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 289 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大栅源电压: ±12 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2 W 高度: 0.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 1.5 nC @ 4 V 典型关断延迟时间: 6.4 ns 尺寸: 2.9 x 1.8 x 0.7mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 9.2 ns 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 123 pF @ 15 V 宽度: 1.8mm 长度: 2.9mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 东芝 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 3.5 A, 3引脚 SOT-23F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 289 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大栅源电压: ±12 V 封装类型: SOT-23F 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2 W 高度: 0.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 1.5 nC @ 4 V 典型关断延迟时间: 6.4 ns 尺寸: 2.9 x 1.8 x 0.7mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 9.2 ns 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 123 pF @ 15 V 宽度: 1.8mm 长度: 2.9mm
SSM3K7002CFU,LF(T
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K7002CFU,LF(T, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 USM封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 170 mA 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 8.1 Ω 最大栅阈值电压: 2.1V 最小栅阈值电压: 1.1V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: USM 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 150 mW 高度: 0.85mm 典型栅极电荷@Vgs: 0.27 nC @ 4.5 V 典型关断延迟时间: 7 ns 正向跨导: 450S 正向二极管电压: 1.2V 尺寸: 2 x 1.25 x 0.85mm 长度: 2mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.25mm 典型接通延迟时间: 2 ns 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 11 pF @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K7002CFU,LF(T, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 USM封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 170 mA 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 8.1 Ω 最大栅阈值电压: 2.1V 最小栅阈值电压: 1.1V 最大栅源电压: ±20 V 封装类型: USM 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 150 mW 高度: 0.85mm 典型栅极电荷@Vgs: 0.27 nC @ 4.5 V 典型关断延迟时间: 7 ns 正向跨导: 450S 正向二极管电压: 1.2V 尺寸: 2 x 1.25 x 0.85mm 长度: 2mm 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.25mm 典型接通延迟时间: 2 ns 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 11 pF @ 10 V
TK56E12N1,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=120 V, 112 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 112 A 最大漏源电压: 120 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 168 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 长度: 10.16mm 典型栅极电荷@Vgs: 69 nC @ 10 V 高度: 15.1mm 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 4.45mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=120 V, 112 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 112 A 最大漏源电压: 120 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 168 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 长度: 10.16mm 典型栅极电荷@Vgs: 69 nC @ 10 V 高度: 15.1mm 正向二极管电压: 1.2V 最高工作温度: +150 °C 系列: U-MOSVIII-H 宽度: 4.45mm
TPH11003NL,LQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 32 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 16 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 21 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 5mm 宽度: 5mm 最高工作温度: +150 °C 系列: U-MOSVIII-H 高度: 0.95mm 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 7.5 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 32 A, 8引脚 SOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 16 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.3V 最小栅阈值电压: 1.3V 最大功率耗散: 21 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 5mm 宽度: 5mm 最高工作温度: +150 °C 系列: U-MOSVIII-H 高度: 0.95mm 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 7.5 nC @ 10 V 晶体管材料: Si