SSM3K7002CFU,LF(T

品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
新产品Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K7002CFU,LF(T, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 USM封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:170 mA
最大漏源电压:60 V
最大漏源电阻值:8.1 Ω
最大栅阈值电压:2.1V
最小栅阈值电压:1.1V
最大栅源电压:±20 V
封装类型:USM
安装类型:表面贴装
晶体管配置:
引脚数目:3
通道模式:增强
最大功率耗散:150 mW
高度:0.85mm
典型栅极电荷@Vgs:0.27 nC @ 4.5 V
典型关断延迟时间:7 ns
正向跨导:450S
正向二极管电压:1.2V
尺寸:2 x 1.25 x 0.85mm
长度:2mm
每片芯片元件数目:1
宽度:1.25mm
典型接通延迟时间:2 ns
最高工作温度:+150 °C
典型输入电容值@Vds:11 pF @ 10 V