东芝
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TK20V60W5,LVQ(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 20 A, 5引脚 DFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 20 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: DFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 5 最大漏源电阻值: 190 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 156 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 8mm 晶体管材料: Si 高度: 0.8mm 宽度: 8mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 55 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=600 V, 20 A, 5引脚 DFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 20 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: DFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 5 最大漏源电阻值: 190 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 156 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 8mm 晶体管材料: Si 高度: 0.8mm 宽度: 8mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 系列: DTMOSIV 典型栅极电荷@Vgs: 55 nC @ 10 V
THN-N203N0640E4
供应商: RS
分类: SD卡
描述: 东芝SD卡, N203, SD卡, 64 GB, -25 → +85°C, Class 10, UHS-1 U1
卡片格式: SD 容量: 64 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U1 系列: N203 温度范围: -25 → +85°C
供应商: RS
分类: SD卡
描述: 东芝SD卡, N203, SD卡, 64 GB, -25 → +85°C, Class 10, UHS-1 U1
卡片格式: SD 容量: 64 GB 速度等级: Class 10, UHS-1 U1 系列: N203 温度范围: -25 → +85°C
CMS08(T2L,TEMQ)
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: 东芝 二极管 肖特基, 峰值反向重复电压 30V, 2引脚 M-FLAT封装, 最高工作温度 +125 °C
二极管配置: 单路 最大连续正向电流: 1A 每片芯片元件数目: 1 峰值反向重复电压: 30V 安装类型: 表面贴装 封装类型: M-FLAT 二极管类型: 肖特基 二极管技术: 肖特基 引脚数目: 2 最大正向电压降: 370mV 长度: 3.8mm 宽度: 2.4mm 高度: 0.98mm 最高工作温度: +125 °C 尺寸: 3.8 x 2.4 x 0.98mm 峰值反向电流: 1.5mA 最低工作温度: -40 °C 峰值非重复正向浪涌电流: 25A
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: 东芝 二极管 肖特基, 峰值反向重复电压 30V, 2引脚 M-FLAT封装, 最高工作温度 +125 °C
二极管配置: 单路 最大连续正向电流: 1A 每片芯片元件数目: 1 峰值反向重复电压: 30V 安装类型: 表面贴装 封装类型: M-FLAT 二极管类型: 肖特基 二极管技术: 肖特基 引脚数目: 2 最大正向电压降: 370mV 长度: 3.8mm 宽度: 2.4mm 高度: 0.98mm 最高工作温度: +125 °C 尺寸: 3.8 x 2.4 x 0.98mm 峰值反向电流: 1.5mA 最低工作温度: -40 °C 峰值非重复正向浪涌电流: 25A
GT30J322(Q)
供应商: RS
分类: IGBT绝缘栅双极型晶体管
描述: 东芝 晶体管 - IGBT, Vce=600 V, 30 A, TO-3PNIS封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 封装类型: TO-3PNIS 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.8 x 5 x 21mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: IGBT绝缘栅双极型晶体管
描述: 东芝 晶体管 - IGBT, Vce=600 V, 30 A, TO-3PNIS封装, 3引脚, 通孔安装
最大连续集电极电流: 30 A 最大集电极-发射极电压: 600 V 最大栅极发射极电压: ±20V 封装类型: TO-3PNIS 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 尺寸: 15.8 x 5 x 21mm 最高工作温度: +150 °C
TK15S04N1L,LQ(O
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=40 V, 15 A, 3引脚 DPAK+ (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 15 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: DPAK+ (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 37 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 46 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.5mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V 最高工作温度: +175 °C 系列: U-MOSVIII-H 正向二极管电压: 1.2V 长度: 6.5mm 高度: 2.3mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=40 V, 15 A, 3引脚 DPAK+ (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 15 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: DPAK+ (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 37 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1.5V 最大功率耗散: 46 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 5.5mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V 最高工作温度: +175 °C 系列: U-MOSVIII-H 正向二极管电压: 1.2V 长度: 6.5mm 高度: 2.3mm
74HC74D
供应商: RS
分类: 触发器集成电路
描述: 东芝 双 CMOS 触发器 IC, 差分输出, 14引脚 SOIC封装
逻辑系列: 74HC 逻辑功能: D 型 输出类型: CMOS 输出信号类型: 差分 触发类型: 上升沿 极性: 反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 设置/复位: 预设 每片芯片元件数目: 2 最长传播延迟时间@最长CL: 190 ns @ 50 pF 尺寸: 8.95 x 3.9 x 1.38mm 高度: 1.38mm 传输延迟测试条件: 50pF 长度: 8.95mm 最大工作电源电压: 6 V 宽度: 3.9mm 最小工作电源电压: 2 V 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +85 °C
供应商: RS
分类: 触发器集成电路
描述: 东芝 双 CMOS 触发器 IC, 差分输出, 14引脚 SOIC封装
逻辑系列: 74HC 逻辑功能: D 型 输出类型: CMOS 输出信号类型: 差分 触发类型: 上升沿 极性: 反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 设置/复位: 预设 每片芯片元件数目: 2 最长传播延迟时间@最长CL: 190 ns @ 50 pF 尺寸: 8.95 x 3.9 x 1.38mm 高度: 1.38mm 传输延迟测试条件: 50pF 长度: 8.95mm 最大工作电源电压: 6 V 宽度: 3.9mm 最小工作电源电压: 2 V 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +85 °C
TK30E06N1,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 43 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 43 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 15 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 53 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 10.16mm 系列: U-MOSVIII-H 高度: 15.1mm 宽度: 4.45mm 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 43 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 43 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 15 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 53 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 晶体管材料: Si 长度: 10.16mm 系列: U-MOSVIII-H 高度: 15.1mm 宽度: 4.45mm 正向二极管电压: 1.2V 典型栅极电荷@Vgs: 10 nC @ 10 V
TK5A65W,S5X(M
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.2 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.2 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.2 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.5mm 系列: DTMOSIV 高度: 15mm 典型栅极电荷@Vgs: 10.5 nC @ 10 V 长度: 10mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, DTMOSIV 系列, N沟道, Si, Vds=650 V, 5.2 A, 3引脚 TO-220SIS封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 5.2 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220SIS 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.2 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 30 W 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.5mm 系列: DTMOSIV 高度: 15mm 典型栅极电荷@Vgs: 10.5 nC @ 10 V 长度: 10mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.7V 晶体管材料: Si
2SC2713-BL(F)
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 东芝 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 100 mA, SOT-346 (SC-59)封装, 100 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 120 V 封装类型: SOT-346 (SC-59) 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 150 mW 最小直流电流增益: 350 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 120 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 100 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 1.1 x 2.9 x 1.5mm 高度: 1.1mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 2.9mm 最高工作温度: +125 °C 宽度: 1.5mm 最大集电极-发射极饱和电压: 0.3 V
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 东芝 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 100 mA, SOT-346 (SC-59)封装, 100 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 120 V 封装类型: SOT-346 (SC-59) 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 150 mW 最小直流电流增益: 350 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 120 V 最大发射极-基极电压: 5 V 最大工作频率: 100 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 1.1 x 2.9 x 1.5mm 高度: 1.1mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 2.9mm 最高工作温度: +125 °C 宽度: 1.5mm 最大集电极-发射极饱和电压: 0.3 V
TK35E08N1,S1X(S
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=80 V, 55 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 55 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 12.2 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 72 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4.45mm 系列: U-MOSVIII-H 长度: 10.16mm 高度: 15.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=80 V, 55 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 55 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 12.2 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 72 W 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4.45mm 系列: U-MOSVIII-H 长度: 10.16mm 高度: 15.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.2V 晶体管材料: Si