SSM3K329R
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
东芝 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 3.5 A, 3引脚 SOT-23F封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 3.5 A |
| 最大漏源电压: | 30 V |
| 最大漏源电阻值: | 289 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 1V |
| 最小栅阈值电压: | 0.4V |
| 最大栅源电压: | ±12 V |
| 封装类型: | SOT-23F |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 3 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大功率耗散: | 2 W |
| 高度: | 0.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 1.5 nC @ 4 V |
| 典型关断延迟时间: | 6.4 ns |
| 尺寸: | 2.9 x 1.8 x 0.7mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 典型接通延迟时间: | 9.2 ns |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 典型输入电容值@Vds: | 123 pF @ 15 V |
| 宽度: | 1.8mm |
| 长度: | 2.9mm |