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ESD5V3U2U-03LRH
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 英飞凌 ESD 保护二极管, 单向, TSLP封装, 表面贴装安装, 最大钳位电压 28V, 3 引脚, 共阳极配置
方向类型: 单向 二极管配置: 共阳极 最大钳位电压: 28V 最小击穿电压: 6V 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSLP 引脚数目: 3 最大峰值脉冲电流: 3A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 2 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +125 °C 长度: 1mm 最大反向漏电流: 50nA 宽度: 0.6mm 测试电流: 1mA 尺寸: 1 x 0.6 x 0.34mm 高度: 0.34mm
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 英飞凌 ESD 保护二极管, 单向, TSLP封装, 表面贴装安装, 最大钳位电压 28V, 3 引脚, 共阳极配置
方向类型: 单向 二极管配置: 共阳极 最大钳位电压: 28V 最小击穿电压: 6V 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSLP 引脚数目: 3 最大峰值脉冲电流: 3A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 2 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +125 °C 长度: 1mm 最大反向漏电流: 50nA 宽度: 0.6mm 测试电流: 1mA 尺寸: 1 x 0.6 x 0.34mm 高度: 0.34mm
BCR146
供应商: RS
分类: 数字晶体管
描述: 英飞凌 NPN 套件, 70 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 3引脚 SOT-23封装
晶体管类型: NPN 每片芯片元件数目: 1 最大连续集电极电流: 70 mA 最大集电极-发射极电压: 50 V 典型输入电阻器: 47 kΩ 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 引脚数目: 3 最小直流电流增益: 50 晶体管配置: 单 最大功率耗散: 200 mW 最大集电极-发射极饱和电压: 0.3 V 典型电阻比: 2.14 高度: 0.9mm 尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm 长度: 2.9mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 1.3mm
供应商: RS
分类: 数字晶体管
描述: 英飞凌 NPN 套件, 70 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 3引脚 SOT-23封装
晶体管类型: NPN 每片芯片元件数目: 1 最大连续集电极电流: 70 mA 最大集电极-发射极电压: 50 V 典型输入电阻器: 47 kΩ 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 引脚数目: 3 最小直流电流增益: 50 晶体管配置: 单 最大功率耗散: 200 mW 最大集电极-发射极饱和电压: 0.3 V 典型电阻比: 2.14 高度: 0.9mm 尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm 长度: 2.9mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 1.3mm
IRF6797MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 36 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 36 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 1 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.8 W 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 45 nC @ 4.5 V 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.45mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 36 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 36 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 1 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.8 W 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 45 nC @ 4.5 V 高度: 0.6mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.45mm
IRF6722MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 13 A, 7引脚 DirectFET MP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 13 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.3 W 长度: 6.35mm 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 4.5 V 高度: 0.62mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 13 A, 7引脚 DirectFET MP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 13 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.3 W 长度: 6.35mm 宽度: 5.05mm 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 11 nC @ 4.5 V 高度: 0.62mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
IPP086N10N3G
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, OptiMOS 3 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 80 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 80 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 15.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 125 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: OptiMOS 3 正向二极管电压: 1.2V 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +175 °C 高度: 15.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 42 nC @ 10 V 长度: 10.36mm 晶体管材料: Si 宽度: 4.57mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, OptiMOS 3 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 80 A, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 80 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 15.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3.5V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 125 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: OptiMOS 3 正向二极管电压: 1.2V 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +175 °C 高度: 15.95mm 典型栅极电荷@Vgs: 42 nC @ 10 V 长度: 10.36mm 晶体管材料: Si 宽度: 4.57mm
AUIR0815S
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: International Rectifier MOSFET 功率驱动器 半桥, 10A, 10 → 30 V电源, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 高压侧和低压侧相关性: 同步 驱动器数目: 1 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: International Rectifier MOSFET 功率驱动器 半桥, 10A, 10 → 30 V电源, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 高压侧和低压侧相关性: 同步 驱动器数目: 1 电桥类型: 半桥 安装类型: 表面贴装
IRFS3607PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=75 V, 80 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 80 A 最大漏源电压: 75 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 9 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 140 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.65mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 56 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 系列: HEXFET 晶体管材料: Si 长度: 10.67mm 高度: 4.83mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=75 V, 80 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 80 A 最大漏源电压: 75 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 9 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 140 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.65mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 56 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 系列: HEXFET 晶体管材料: Si 长度: 10.67mm 高度: 4.83mm
IPP120P04P4-04
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P404AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 120 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 3.5 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 136 W 每片芯片元件数目: 1 典型关断延迟时间: 49 ns 典型栅极电荷@Vgs: 158 nC @ 10 V 典型接通延迟时间: 30 ns 典型输入电容值@Vds: 11380 pF @ -25 V 最低工作温度: -55 °C 宽度: 4.57mm 晶体管材料: Si 尺寸: 10.36 x 4.57 x 15.95mm 高度: 15.95mm 系列: OptiMOS P 最高工作温度: +175 °C 长度: 10.36mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P404AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 120 A 最大漏源电压: 40 V 最大漏源电阻值: 3.5 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 136 W 每片芯片元件数目: 1 典型关断延迟时间: 49 ns 典型栅极电荷@Vgs: 158 nC @ 10 V 典型接通延迟时间: 30 ns 典型输入电容值@Vds: 11380 pF @ -25 V 最低工作温度: -55 °C 宽度: 4.57mm 晶体管材料: Si 尺寸: 10.36 x 4.57 x 15.95mm 高度: 15.95mm 系列: OptiMOS P 最高工作温度: +175 °C 长度: 10.36mm
IRS21956SPBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 3路, 0.5A, 20引脚 SOIC封装
引脚数目: 20 封装类型: SOIC 输出数目: 2 高压侧和低压侧相关性: 同步 驱动器数目: 3 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 3路, 0.5A, 20引脚 SOIC封装
引脚数目: 20 封装类型: SOIC 输出数目: 2 高压侧和低压侧相关性: 同步 驱动器数目: 3 安装类型: 表面贴装
IRF9952PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N/P沟道沟道, 双, Si, Vds=30 V, 2.3 A，3.5 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N，P 最大连续漏极电流: 2.3 A，3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 100 mΩ, 250 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 1V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 隔离式 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2000 mW 系列: HEXFET 高度: 1.5mm 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 2 宽度: 4mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5mm 典型栅极电荷@Vgs: 6.1 nC @ 10 V，6.9 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N/P沟道沟道, 双, Si, Vds=30 V, 2.3 A，3.5 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N，P 最大连续漏极电流: 2.3 A，3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 100 mΩ, 250 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 1V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 隔离式 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2000 mW 系列: HEXFET 高度: 1.5mm 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 2 宽度: 4mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5mm 典型栅极电荷@Vgs: 6.1 nC @ 10 V，6.9 nC @ 10 V