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IR2161SPBF
供应商: RS
分类: 照明镇流器驱动器
描述: 英飞凌 照明镇流器驱动器, 半桥, 16.5V, 8引脚 SOIC封装
驱动器类型: 高侧和低侧 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 参考电压: 600V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大工作电压: 16.5V 最小工作电压: 11.5V
供应商: RS
分类: 照明镇流器驱动器
描述: 英飞凌 照明镇流器驱动器, 半桥, 16.5V, 8引脚 SOIC封装
驱动器类型: 高侧和低侧 驱动器数目: 2 电桥类型: 半桥 参考电压: 600V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大工作电压: 16.5V 最小工作电压: 11.5V
IR2010PBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 栅极驱动器 3 A输出, 14引脚, 20V电源, PDIP封装
输出电流: 3 A 电源电压: 20V 引脚数目: 14 封装类型: PDIP 输出数目: 2 拓扑: 高侧和低侧 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 通孔
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 栅极驱动器 3 A输出, 14引脚, 20V电源, PDIP封装
输出电流: 3 A 电源电压: 20V 引脚数目: 14 封装类型: PDIP 输出数目: 2 拓扑: 高侧和低侧 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 通孔
IRFU2607ZPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=75 V, 45 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 45 A 最大漏源电压: 75 V 最大漏源电阻值: 22 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 110 W 系列: HEXFET 高度: 6.1mm 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.6mm 尺寸: 6.6 x 2.3 x 6.1mm 宽度: 2.3mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 14 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 34 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 1440 pF @ 25 V 典型关断延迟时间: 39 ns
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=75 V, 45 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 45 A 最大漏源电压: 75 V 最大漏源电阻值: 22 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 110 W 系列: HEXFET 高度: 6.1mm 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.6mm 尺寸: 6.6 x 2.3 x 6.1mm 宽度: 2.3mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 14 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 34 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 1440 pF @ 25 V 典型关断延迟时间: 39 ns
IRF9952QPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N/P沟道沟道, 双, Vds=30 V, 2.3 A，3.5 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N，P 最大连续漏极电流: 2.3 A，3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 100 mΩ, 250 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2000 mW 典型栅极电荷@Vgs: 6.1 nC @ 10 V，6.9 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 2 宽度: 4mm 长度: 5mm 高度: 1.5mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N/P沟道沟道, 双, Vds=30 V, 2.3 A，3.5 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N，P 最大连续漏极电流: 2.3 A，3.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 100 mΩ, 250 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2000 mW 典型栅极电荷@Vgs: 6.1 nC @ 10 V，6.9 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 每片芯片元件数目: 2 宽度: 4mm 长度: 5mm 高度: 1.5mm 最高工作温度: +150 °C
IRF6726MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 32 A, 7引脚 DirectFET MT封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MT 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 典型关断延迟时间: 25 ns 典型栅极电荷@Vgs: 51 nC @ 4.5 V 宽度: 5.05mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 典型输入电容值@Vds: 6140 pF @ 15 V 高度: 0.6mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 20 ns 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 32 A, 7引脚 DirectFET MT封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 32 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MT 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 典型关断延迟时间: 25 ns 典型栅极电荷@Vgs: 51 nC @ 4.5 V 宽度: 5.05mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 典型输入电容值@Vds: 6140 pF @ 15 V 高度: 0.6mm 每片芯片元件数目: 1 典型接通延迟时间: 20 ns 最低工作温度: -40 °C
AUIRS2113S
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路, 2.5A, 10 → 20 V电源, 16引脚 SOIC封装 非反相 高侧和低侧
引脚数目: 16 封装类型: SOIC W 输出数目: 2 拓扑: 高侧和低侧 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 极性: 非反相
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: Infineon MOSFET 功率驱动器 双路, 2.5A, 10 → 20 V电源, 16引脚 SOIC封装 非反相 高侧和低侧
引脚数目: 16 封装类型: SOIC W 输出数目: 2 拓扑: 高侧和低侧 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 极性: 非反相
IRFR7446PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, MOSFET, HEXFET系列, NMOS, DPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 120 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: DPAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.4 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 98 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 宽度: 2.39mm 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.73mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌, MOSFET, HEXFET系列, NMOS, DPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 120 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: DPAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.4 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 98 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 宽度: 2.39mm 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.73mm 最高工作温度: +175 °C 典型栅极电荷@Vgs: 65 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
IRLU8259PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 57 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 57 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 9 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 48 W 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 900 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 9.1 ns 尺寸: 6.73 x 2.39 x 6.22mm 高度: 6.22mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm 宽度: 2.39mm 典型接通延迟时间: 8.4 ns 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 57 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 57 A 最大漏源电压: 25 V 最大漏源电阻值: 9 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 48 W 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 900 pF @ 13 V 典型关断延迟时间: 9.1 ns 尺寸: 6.73 x 2.39 x 6.22mm 高度: 6.22mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm 宽度: 2.39mm 典型接通延迟时间: 8.4 ns 每片芯片元件数目: 1
IRLR8721PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=30 V, 65 A, 3引脚 D-PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 65 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D-PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 65 W 宽度: 6.22mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V 高度: 2.39mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=30 V, 65 A, 3引脚 D-PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 65 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D-PAK 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 65 W 宽度: 6.22mm 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V 高度: 2.39mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm
TLE6208-3G
供应商: RS
分类: 电机驱动芯片
描述: Infineon 电机驱动芯片, 用于BLDC, 0.6A
电动机类型: BLDC 输出配置: 三路半桥接 最大IGBT集电极电流: 0.6A 最大集电极-发射极电压: 40 V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 最大工作电源电压: 5.5 V 最小工作电源电压: 4.75 V 最低工作温度: -40°C 宽度: 4mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 8.75mm 尺寸: 8.75 x 4 x 1.5mm 高度: 1.5mm
供应商: RS
分类: 电机驱动芯片
描述: Infineon 电机驱动芯片, 用于BLDC, 0.6A
电动机类型: BLDC 输出配置: 三路半桥接 最大IGBT集电极电流: 0.6A 最大集电极-发射极电压: 40 V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 14 最大工作电源电压: 5.5 V 最小工作电源电压: 4.75 V 最低工作温度: -40°C 宽度: 4mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 8.75mm 尺寸: 8.75 x 4 x 1.5mm 高度: 1.5mm