英飞凌
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IRF6725MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 28 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 28 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 典型接通延迟时间: 16 ns 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 36 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 4700 pF @ 15 V 宽度: 5.05mm 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.6mm 每片芯片元件数目: 1 典型关断延迟时间: 19 ns
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 28 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 28 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 2 mΩ 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2.8 W 典型接通延迟时间: 16 ns 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 36 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 4700 pF @ 15 V 宽度: 5.05mm 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 0.6mm 每片芯片元件数目: 1 典型关断延迟时间: 19 ns
AUIPS1031S
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: Infineon , 单输出输出 智能电源开关, 低侧开关, 3.3A, 0 → 5.5V, 3引脚 D2PAK封装
电源开关类型: 低侧开关 开关接通电阻值: 95mΩ 输出数目: 1 安装类型: 表面贴装 封装类型: D2PAK 引脚数目: 3 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 6.73 x 6.22 x 2.39mm 汽车标准: AEC-Q100
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: Infineon , 单输出输出 智能电源开关, 低侧开关, 3.3A, 0 → 5.5V, 3引脚 D2PAK封装
电源开关类型: 低侧开关 开关接通电阻值: 95mΩ 输出数目: 1 安装类型: 表面贴装 封装类型: D2PAK 引脚数目: 3 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 6.73 x 6.22 x 2.39mm 汽车标准: AEC-Q100
IRF7904PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, 双, Si, Vds=30 V, 7.6 A，11 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.6 A，11 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 11 mΩ、16 mΩ 最大栅阈值电压: 2.25V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 隔离式 引脚数目: 8 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 1.4 W 典型关断延迟时间: 10 ns、15 ns 高度: 1.5mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +150 °C 长度: 5mm 尺寸: 5 x 4 x 1.5mm 宽度: 4mm 每片芯片元件数目: 2 典型接通延迟时间: 6.9 ns、7.8 ns 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 14 nC @ 4.5 V，7.5 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -55 °C 典型输入电容值@Vds: 1780 pF @ 15 V、910 pF @ 15 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, 双, Si, Vds=30 V, 7.6 A，11 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.6 A，11 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 11 mΩ、16 mΩ 最大栅阈值电压: 2.25V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 隔离式 引脚数目: 8 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 1.4 W 典型关断延迟时间: 10 ns、15 ns 高度: 1.5mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +150 °C 长度: 5mm 尺寸: 5 x 4 x 1.5mm 宽度: 4mm 每片芯片元件数目: 2 典型接通延迟时间: 6.9 ns、7.8 ns 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 14 nC @ 4.5 V，7.5 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -55 °C 典型输入电容值@Vds: 1780 pF @ 15 V、910 pF @ 15 V
IR2110PBF
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET驱动器, 高侧和低侧, 20V电源, PDIP封装, 14引脚, 2.5 A输出
输出电流: 2.5 A 电源电压: 20V 引脚数目: 14 封装类型: PDIP 输出数目: 2 拓扑: 高侧和低侧 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 通孔
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET驱动器, 高侧和低侧, 20V电源, PDIP封装, 14引脚, 2.5 A输出
输出电流: 2.5 A 电源电压: 20V 引脚数目: 14 封装类型: PDIP 输出数目: 2 拓扑: 高侧和低侧 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 极性: 非反相 安装类型: 通孔
IRFU120NPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 9.4 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 9.4 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 210 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 48 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.6mm 宽度: 2.3mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 10 V 高度: 6.1mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 9.4 A, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 9.4 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: IPAK (TO-251) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 210 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 48 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.6mm 宽度: 2.3mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 10 V 高度: 6.1mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -55 °C
IRF7201PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 7.3 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.3 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 30 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 1V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.5 W 系列: HEXFET 高度: 1.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 19 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4mm 长度: 5mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 7.3 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 7.3 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 30 mΩ 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 1V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 8 通道模式: 增强 最大功率耗散: 2.5 W 系列: HEXFET 高度: 1.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 19 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 宽度: 4mm 长度: 5mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si
IRFB3806PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 43 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 43 A 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 16 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 71 W 典型关断延迟时间: 49 ns 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.82mm 尺寸: 10.66 x 4.82 x 9.02mm 典型输入电容值@Vds: 1150 pF@ 50 V 典型栅极电荷@Vgs: 22 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 6.3 ns 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET 高度: 9.02mm 长度: 10.66mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 43 A, 3引脚 TO-220AB封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 43 A 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 16 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220AB 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 71 W 典型关断延迟时间: 49 ns 晶体管材料: Si 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.82mm 尺寸: 10.66 x 4.82 x 9.02mm 典型输入电容值@Vds: 1150 pF@ 50 V 典型栅极电荷@Vgs: 22 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 6.3 ns 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET 高度: 9.02mm 长度: 10.66mm
IRFS4615PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=150 V, 33 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 33 A 最大漏源电压: 150 V 最大漏源电阻值: 42 mΩ 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 144 W 典型关断延迟时间: 25 ns 典型栅极电荷@Vgs: 26 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 15 ns 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 1750 pF@ 50 V 宽度: 9.65mm 每片芯片元件数目: 1 高度: 4.83mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 尺寸: 10.67 x 9.65 x 4.83mm 长度: 10.67mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=150 V, 33 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 33 A 最大漏源电压: 150 V 最大漏源电阻值: 42 mΩ 最大栅阈值电压: 5V 最小栅阈值电压: 3V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 144 W 典型关断延迟时间: 25 ns 典型栅极电荷@Vgs: 26 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 典型接通延迟时间: 15 ns 晶体管材料: Si 典型输入电容值@Vds: 1750 pF@ 50 V 宽度: 9.65mm 每片芯片元件数目: 1 高度: 4.83mm 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 尺寸: 10.67 x 9.65 x 4.83mm 长度: 10.67mm
AUIR3316
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: Infineon 门驱动器, 1输入, 26 V输入/1输出, 23A最大输出, 5引脚, TO-220封装
输出数目: 1 输入数目: 1 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220 引脚数目: 5 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm
供应商: RS
分类: 开关电源芯片
描述: Infineon 门驱动器, 1输入, 26 V输入/1输出, 23A最大输出, 5引脚, TO-220封装
输出数目: 1 输入数目: 1 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220 引脚数目: 5 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm
IRFU1018EPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 79 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 79 A 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 110000 mW 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 10 V 高度: 6.22mm 宽度: 2.39mm 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm 系列: HEXFET
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 79 A, 3引脚 IPAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 79 A 最大漏源电压: 60 V 最大漏源电阻值: 8 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: IPAK 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 110000 mW 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 10 V 高度: 6.22mm 宽度: 2.39mm 最高工作温度: +175 °C 长度: 6.73mm 系列: HEXFET