IPP086N10N3G
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET, OptiMOS 3 系列, N沟道, Si, Vds=100 V, 80 A, 3引脚 TO-220封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 80 A |
| 最大漏源电压: | 100 V |
| 封装类型: | TO-220 |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 最大漏源电阻值: | 15.4 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 3.5V |
| 最小栅阈值电压: | 2V |
| 最大功率耗散: | 125 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 系列: | OptiMOS 3 |
| 正向二极管电压: | 1.2V |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 最高工作温度: | +175 °C |
| 高度: | 15.95mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 42 nC @ 10 V |
| 长度: | 10.36mm |
| 晶体管材料: | Si |
| 宽度: | 4.57mm |