IRF6722MTR1PBF

品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=30 V, 13 A, 7引脚 DirectFET MP封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:13 A
最大漏源电压:30 V
最大漏源电阻值:8 mΩ
最大栅源电压:-20 V、+20 V
封装类型:DirectFET MP
安装类型:表面贴装
引脚数目:7
通道模式:增强
最大功率耗散:2.3 W
长度:6.35mm
宽度:5.05mm
每片芯片元件数目:1
典型栅极电荷@Vgs:11 nC @ 4.5 V
高度:0.62mm
最高工作温度:+150 °C
最低工作温度:-40 °C