英飞凌
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AUIPS6021S
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: 英飞凌 , 单输出输出 智能电源开关, 高侧开关, 32A, 36.3V, 3.1W, 5引脚 D2PAK封装
电源开关类型: 高侧开关 开关接通电阻值: 30mΩ 输出数目: 1 电压: 36.3V 电流: 32A 额定功率: 3.1W 安装类型: 表面贴装 封装类型: D2PAK 引脚数目: 5 尺寸: 10.67 x 11.33 x 4.83mm 长度: 10.67mm 宽度: 11.33mm 高度: 4.83mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: 英飞凌 , 单输出输出 智能电源开关, 高侧开关, 32A, 36.3V, 3.1W, 5引脚 D2PAK封装
电源开关类型: 高侧开关 开关接通电阻值: 30mΩ 输出数目: 1 电压: 36.3V 电流: 32A 额定功率: 3.1W 安装类型: 表面贴装 封装类型: D2PAK 引脚数目: 5 尺寸: 10.67 x 11.33 x 4.83mm 长度: 10.67mm 宽度: 11.33mm 高度: 4.83mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C
1EDI60I12AFXUMA1
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路, -9.4 A, 10 A, 8引脚 DSO封装 反相，非反相 电流隔离
引脚数目: 8 封装类型: DSO 下降时间: 19ns 输出数目: 2 上升时间: 20ns 拓扑: 电流隔离 高压侧和低压侧相关性: 独立 延时: 330ns 驱动器数目: 2 极性: 反相，非反相 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: MOSFET 驱动器
描述: 英飞凌 MOSFET 驱动器 双路, -9.4 A, 10 A, 8引脚 DSO封装 反相，非反相 电流隔离
引脚数目: 8 封装类型: DSO 下降时间: 19ns 输出数目: 2 上升时间: 20ns 拓扑: 电流隔离 高压侧和低压侧相关性: 独立 延时: 330ns 驱动器数目: 2 极性: 反相，非反相 安装类型: 表面贴装
AUIRS2181S
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: International Rectifier MOSFET 功率驱动器 双路, 2.3A, 10 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 安装类型: 表面贴装
供应商: RS
分类: 栅极驱动器
描述: International Rectifier MOSFET 功率驱动器 双路, 2.3A, 10 → 20 V电源, 8引脚 SOIC封装
引脚数目: 8 封装类型: SOIC 输出数目: 2 高压侧和低压侧相关性: 独立 驱动器数目: 2 安装类型: 表面贴装
AUIPS1011
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: 英飞凌 , 单输出输出 智能电源开关, 低侧开关, 18A, 0 → 5.5V, 3引脚 TO-220封装
电源开关类型: 低侧开关 开关接通电阻值: 25mΩ 输出数目: 1 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220 引脚数目: 3 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.66 x 9.02 x 4.82mm 汽车标准: AEC-Q100
供应商: RS
分类: 智能电源开关
描述: 英飞凌 , 单输出输出 智能电源开关, 低侧开关, 18A, 0 → 5.5V, 3引脚 TO-220封装
电源开关类型: 低侧开关 开关接通电阻值: 25mΩ 输出数目: 1 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220 引脚数目: 3 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 10.66 x 9.02 x 4.82mm 汽车标准: AEC-Q100
BB857
供应商: RS
分类: 变容二极管
描述: 英飞凌 单路 变容管, SCD-80封装, 最大反向30V, 尺寸1.3 x 0.8 x 0.7 (With Pin)mm, 2引脚, 使用于SAT 调谐器
二极管配置: 单路 应用: SAT 调谐器 最大反向电压: 30V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SCD-80 引脚数目: 2 尺寸: 1.3 x 0.8 x 0.7 (With Pin)mm 高度: 0.7mm 长度: 1.3mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 0.8mm 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: 变容二极管
描述: 英飞凌 单路 变容管, SCD-80封装, 最大反向30V, 尺寸1.3 x 0.8 x 0.7 (With Pin)mm, 2引脚, 使用于SAT 调谐器
二极管配置: 单路 应用: SAT 调谐器 最大反向电压: 30V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SCD-80 引脚数目: 2 尺寸: 1.3 x 0.8 x 0.7 (With Pin)mm 高度: 0.7mm 长度: 1.3mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 0.8mm 最低工作温度: -55 °C
IPP023N04NGXKSA1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 NMOS, MOSFET, OptiMOS 3系列, Vds=40 V, TO-220封装, 90 A, 通孔安装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 90 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 2.3 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 167 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 4.57mm 高度: 15.95mm 长度: 10.36mm 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -55 °C 系列: OptiMOS 3 典型栅极电荷@Vgs: 90 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 NMOS, MOSFET, OptiMOS 3系列, Vds=40 V, TO-220封装, 90 A, 通孔安装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 90 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 2.3 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 167 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 4.57mm 高度: 15.95mm 长度: 10.36mm 最高工作温度: +175 °C 最低工作温度: -55 °C 系列: OptiMOS 3 典型栅极电荷@Vgs: 90 nC @ 10 V
IRL3714ZSPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=20 V, 36 A, 3引脚 D2PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 36 A 最大漏源电压: 20 V 最大漏源电阻值: 16 mΩ 最大栅阈值电压: 2.55V 最小栅阈值电压: 1.65V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 35 W 典型输入电容值@Vds: 550 pF @ 10 V 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET 高度: 4.83mm 典型接通延迟时间: 6 ns 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.65mm 典型关断延迟时间: 10 ns 典型栅极电荷@Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -55 °C 尺寸: 10.67 x 9.65 x 4.83mm 长度: 10.67mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET 晶体管, HEXFET 系列, N沟道, Vds=20 V, 36 A, 3引脚 D2PAK封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 36 A 最大漏源电压: 20 V 最大漏源电阻值: 16 mΩ 最大栅阈值电压: 2.55V 最小栅阈值电压: 1.65V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 35 W 典型输入电容值@Vds: 550 pF @ 10 V 最高工作温度: +175 °C 系列: HEXFET 高度: 4.83mm 典型接通延迟时间: 6 ns 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.65mm 典型关断延迟时间: 10 ns 典型栅极电荷@Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V 最低工作温度: -55 °C 尺寸: 10.67 x 9.65 x 4.83mm 长度: 10.67mm
IRF6724MTR1PBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 27 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 27 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 3 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2800 mW 晶体管材料: Si 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 典型关断延迟时间: 23 ns 高度: 0.6mm 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 典型接通延迟时间: 11 ns 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 33 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 4404 pF @ 15 V 宽度: 5.05mm 系列: DirectFET, HEXFET
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 27 A, 7引脚 DirectFET MX封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 27 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 3 mΩ 最大栅阈值电压: 2.35V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: DirectFET MX 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 7 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 2800 mW 晶体管材料: Si 长度: 5.45mm 尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm 典型关断延迟时间: 23 ns 高度: 0.6mm 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 典型接通延迟时间: 11 ns 最低工作温度: -40 °C 典型栅极电荷@Vgs: 33 nC @ 4.5 V 典型输入电容值@Vds: 4404 pF @ 15 V 宽度: 5.05mm 系列: DirectFET, HEXFET
IRL8113SPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 105 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 105 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 6 mΩ 最大栅阈值电压: 2.25V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 110000 mW 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 高度: 4.83mm 宽度: 9.65mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 4.5 V 长度: 10.67mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 105 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 105 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 6 mΩ 最大栅阈值电压: 2.25V 最小栅阈值电压: 1.35V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: D2PAK (TO-263) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 110000 mW 系列: HEXFET 最高工作温度: +175 °C 高度: 4.83mm 宽度: 9.65mm 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 23 nC @ 4.5 V 长度: 10.67mm
IRF9540NLPBF
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 PMOS, MOSFET, HEXFET系列, Vds=100 V, I2PAK (TO-262)封装, 23 A, 通孔安装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: P 最大连续漏极电流: 23 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: I2PAK (TO-262) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 117 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 3800 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: HEXFET 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 宽度: 4.83mm 长度: 10.67mm 最高工作温度: +175 °C 高度: 9.65mm 典型栅极电荷@Vgs: 97 nC @ 10 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 英飞凌 PMOS, MOSFET, HEXFET系列, Vds=100 V, I2PAK (TO-262)封装, 23 A, 通孔安装, 3引脚, Si晶体管
通道类型: P 最大连续漏极电流: 23 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: I2PAK (TO-262) 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 117 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 3800 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 系列: HEXFET 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 宽度: 4.83mm 长度: 10.67mm 最高工作温度: +175 °C 高度: 9.65mm 典型栅极电荷@Vgs: 97 nC @ 10 V