HUASHUO
商品列表
HSBA060N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>86A</SPAN> 功率(Pd)：89W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>86A</SPAN> 功率(Pd)：89W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A
HSH8004
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：175A 功率(Pd)：192W TO263
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 175A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 80V 长x宽/尺寸: 10.36 x 9.30mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO263 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 80V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：175A 功率(Pd)：192W TO263
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 175A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 80V 长x宽/尺寸: 10.36 x 9.30mm 存储温度: -55℃~+175℃ 封装/外壳: TO263 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 80V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
HSM6303
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
HSU60P03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,30A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,30A
BSS138
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 360mW
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 360mW 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 230mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 5pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.4Ω 原产国家: China 输入电容: 26pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 50V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 360mW
安装类型: SMT 品牌: HUASHUO 功率耗散: 360mW 原始制造商: HUASHUO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 230mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 5pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.4Ω 原产国家: China 输入电容: 26pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 50V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
HSU0048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：73A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,13.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：73A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,13.5A
HSS0008
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ@10V,1A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ@10V,1A
HSH250N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：411W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：195nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.15nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@50V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：411W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：195nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.15nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@50V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
HSU90N03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：37W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：37W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA
HSF4N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 停产