HSH8004
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：175A 功率(Pd)：192W TO263
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | HUASHUO |
| 原始制造商: | HUASHUO SEMICONDUCTOR |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 175A |
| 极性: | N-沟道 |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 80V |
| 长x宽/尺寸: | 10.36 x 9.30mm |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 封装/外壳: | TO263 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 800pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 80V |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 3Pin |