HSH250N10
品牌
HUASHUO
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：411W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：195nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.15nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@50V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)