HUASHUO

HSM2202
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.5mΩ@4.5V,8A

HSM0903
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HSM24P03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.8mΩ@10V,17A

HSP3105
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSU3103
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：34.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBA3052
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,20A

IRLML6401
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:20V 电流:4.9A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.9A 功率(Pd):1.31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,4.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA

HSBB3052
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,20A

HSBA8048
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：48A 功率(Pd)：56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA

HSM3006
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,12A