HUASHUO

HSBB4115
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：39A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,18A

HSO8810
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.3A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

HSSC3134
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：770mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：370mΩ@4.5V,650mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250μA

HSBA6032
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSM4103
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.6A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSH3024
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：260A 功率(Pd)：208.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSM4606
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:6A 电流:7A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7A；6A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,6A；32mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA；3V@250uA

HSP8004
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：175A 功率(Pd)：192W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HSBB4052
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：43A 功率(Pd)：27.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,12A

HSU150N03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA